Магнетофононный резонанс в GaAs квантовой яме с AlAs/GaAs сверхрешеточными барьерами при больших факторах заполнения
А. А. Быков, А. К. Калагин, А. К. Бакаров
Институт физики полупроводников Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия
PACS: 73.23.-b, 73.40.Gk
Abstract
Исследован магнетотранспорт высокоподвижного двумерного
электронного газа (2ДЭГ) в одиночных GaAs квантовых ямах с AlAs/GaAs
сверхрешеточными барьерами при больших факторах заполнения. В изучаемых
селективно-легированных структурах в диапазоне температур от 10 до 25 К
обнаружены осцилляции магнетосопротивления, периодичные по обратному
магнитному полю, частота которых пропорциональна фермиевскому волновому
вектору 2ДЭГ. Полученные экспериментальные результаты объясняются
взаимодействием 2ДЭГ с псевдо-интерфейсными акустическими фононами.