Джозефсоновское и одночастичное туннелирование в сверхпроводящих бикристаллах BaPb1-xBixQ3
Степанкин В.Н., Протасов Е.А., Кузнецов А.В., Зайцев-Зотов С.В.
В работе наблюдались туннельные эффекты на барьере, образованном поверхностью срастания сверхпроводящих бикристаллов ВаРЬ^ χ^χ03 * Определено отношение 2Δ(0) / kTQ = = 3,6 ±0,1 для этого соединения. Обнаружена дублетная структура пика дифференциальной проводимости.