Двузонная проводимость ZrO2, синтезированного методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Д. В. Гриценко, С. С. Шаймеев, М. А. Ламин, О. П. Пчеляков, В. А. Гриценко, В. Г. Лифшиц*
Институт физики полупроводников Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия
*Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения РАН, 690041 Владивосток, Россия
PACS: 77.22.Jp, 77.55.+f, 77.84.Bw
Abstract
С помощью экспериментов по инжекции неосновных носителей из
кремния n- и p-типов определен вклад электронов и дырок в проводимость
ZrO2 в структуре Si/ZrO2/Al. Установлено, что в проводимость ZrO2
дают вклад электроны и дырки: проводимость ZrO2 является двузонной.