Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 61-80
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 81-92
      Volume 92
      Volume 91
      Volume 90
      Volume 89
      Volume 88
      Volume 87
      Volume 86
      Volume 85
      Volume 84
      Volume 83
      Volume 82
      Volume 81
Search
VOLUME 81 (2005) | ISSUE 12 | PAGE 766
Критические явления в реконструкционном переходе β- (2× 4)→α- (2×4) на поверхности (001) GaAs
PACS: 64.60.-i, 68.35.Bs
Abstract
Экспериментально определены критические индексы фазового реконструкционного перехода β -(2×4)→ α -(2×4) на поверхности (001)GaAs. Обнаружено, что фазовый переход (ФП) аналогичен переходу Ван-дер-Ваальса. Экспериментально измерены критические величины Tc, Pc, Θc. Применена теория среднего поля, получены трехпараметрические изотермы, согласующиеся с экспериментальными результатами при следующих величинах параметров: Est=0.36 эВ, Δ E=0.18 эВ и Ei=0.134 эВ. Проведены прецизионные измерения критических показателей β и δ. Их значения β=1/8 и δ=15 указывают, что ФП является истинно двумерным.