Электрон-фононное взаимодействие в легированных бором нанокристаллах кремния: влияние интерференции Фано на спектр комбинационного рассеяния света
В. А. Володин, М. Д. Ефремов
Институт физики полупроводников Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия
PACS: 61.46.+w, 63.20.Kr, 63.22.+m, 78.30.-j
Abstract
С применением методики спектроскопии комбинационного рассеяния
света исследованы массивы нанокристаллов кремния в пленках аморфного кремния,
легированных бором. Нанокристаллы были сформированы в исходных аморфных
пленках импульсным воздействием эксимерного лазера.
Экспериментально обнаружены эффекты электрон-фононного взаимодействия в
гетероструктуре нанокристалл кремния/аморфная матрица. Данные эффекты могут
быть описаны в рамках известной модели интерференции Фано.