|
VOLUME 3 (1966) | ISSUE 9 CONTENTS |
page number of English version in brackets |
|
Агранович В.М., Дубовский О.А.,
Влияние запаздывающего взаимодействия на спектр экситонов в одномерных и двумерных кристаллах
|
345
(223)
|
|
Аскеров Б.М., Гашимзаде Ф.М.,
К квантовй теории электпроводности полупроводников с нестандартной зоной
|
350
(226)
|
|
Корнилов Е.А., Файнберг Я.Б., Болотин Л.И., Ковпик О.Ф.,
Подавление низкочастотных колебаний пучковой неустойчивости с помощью предварительной модуляции электронного пучка
|
354
(229)
|
|
Басс Ф.Г.,
Новый резонасн, связанный с взаимным увеличением электронов и фононов
|
357
(231)
|
|
Блинов Л.М., Вавилов В.С., Галкин Г.Н.,
Фотоэдс на pn-переходе в полупроводнике при интенсивном возбуждении
|
361
(234)
|
|
Гончаров И.Н., Хухарев И.С.,
Аномальное поведение Jc(H, T) термообработанных сплавов Nb - 57%Zr
|
365
(236)
|
|
Тагер А.С.,
Об одном возможном механизме неустойчивости электронной плазмы в кристаллах
|
369
(239)
|
|
Ахманов С.А., Ковригин А.И., Колосов В.А., Пискарскас А.С., Фадеев В.В., Хохлов Р.В.,
Перестраиваемый параметрический генератор света на кристалле KDP
|
372
(241)
|
|
Кривохижа С.В., Маш Д.И., Морозов В.В., Старунов В.С., Фабелинский И.Л.,
Вынужденное рассеняние Мандельштама-Бриллюэна в монокристалле кварца в интервале температур 2.1-300 К
|
378
(245)
|
|
Крижанский Л.М., Рогозев Б.И., Попов Г.В.,
О знаке изменения зарядового радиуса ядра Sn119 |
382
(248)
|
|
|