К вопросу об эффекте фотостимулированной генерации колебаний тока в полупроводниковой структуре
Малахов Б.А., Степанов Г.В.
Показана необходимость наличия туннельнопрозрачной диэлектрической пленки на контакте металла с полупроводником для объяснения эффекта фотостимулированной генерации колебаний тока в полупроводниковой структуре.