Гистерезис во внешнем поле и критическое температурное поведение фотоиндуцированной системы электрических доменов в кристаллах рубина
Басун С.А., Каплянский А.А., Феофилов С.П., Фурман А.С.
В оптически возбужденном рубине обнаружен гистерезис зависимости внутреннего поля от приложенного напряжения и вольт-амперной характеристики образца, прямо подтверждающий связь образования электрических доменов при облучении с электрической неустойчивостью, обусловленной фотовольтаическим эффектом.