Home
| VOLUME 4 (1966) | ISSUE 6 | PAGE 208 |
|---|
|
Непрерывное когерентное излучение эпитаксиальных диодов из GaAs при температуре 770 K
Коган Л.М., Либов Л.Д., Наследов Д.Н., Никитина Т.Ф., Ораевский И.Н., Страховский Г.М., Сунгурова О.А., Царенков Б.В.
Abstract
Accesses: 126
Download PDF file (75K) |