Фотоиндуцированная гиротропия, связанная с флуктуациями спиновой плотности свободных электронов в полупроводниках
Данишевский А.М., Перлин Е.Ю.
Обнаружена сверхлинейная зависимость наведенной оптической гирации в л-InAs от концентрации электронов η в зоне проводимости с. Угол поворота θ достигает 200 град ♦ см/МВт. Предложенная теория явления связывает участок резкого роста θ(η) со спиновым расщеплением зоны с и описывает наблюдавшиеся эффекты пространственной дисперсии.