Поляризационная зависимость фотоэмиссии электронов системы W(110)-Ba при субмонослойных покрытиях
Бенеманская Г.В., Лапушкин М.Н.
Обнаружено, что зависимость интегрального тока фотоэлектронной эмиссии грани (ПО)Wot степени субмонослойного покрытия барием существенно различна для sи ρ •поляризации возбуждающего видимого света. Различие объясняется тем, что р-свет возбуждает эмиссию из зоны поверхностных электронных состояний, индуцированных адсорбцией бария.