Экспериментальное наблюдение неравновесной конденсации электронно-дырочных пар в GaAs при комнатной температуре
П. П. Васильев
Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, 119991 Москва, Россия
PACS: 42.50.Fx, 71.35.Lk
Abstract
В явном виде продемонстрирован эффект нестационарной конденсации
электронно-дырочных пар в GaAs/AlGaAs p-i-n-гетероструктурах при
комнатной температуре в режиме генерации импульсов сверхизлучения.
Обнаружено, что на самых ранних стадиях развития импульса сверхизлучения
происходит резкое уменьшение интенсивности спонтанного излучения из всей зоны
проводимости и быстрый переход электронов на самое дно зоны. Конденсация
электронов на дне зоны приводит к формированию неравновесного когерентного
кооперативного состояния, распад которого наблюдался ранее в виде мощных
фемтосекундных импульсов сверхизлучения.