Туннельные центры с отрицательным U и фотостимулированные реакции в полупроводниках
Баграев Н.Т., Машков В.А.
Обнаружены туннельные системы центров в полупроводниках, обладающие отрицательным U за счет зависимости константы электрон-колебательного взаимодействия от зарядового состояния, наличие которых приводит к наблюдаемым экспериментально, обратимым перестройкам в системе дефектов решетки под действием оптической накачки.