Деформационная корреляция автолокализованных состояний в Pb1-xSxTe(ln)
Акимов Б.А., Брандт Н.Б., Никорич А.В., Рябова Л.И., Соковишин В.В.
Обнаружено, что при увеличении содержания In в Pb^^Sn^Teiln) свыше ~2 ат*% происходит сильное ^уменьшение времен жизни неравновесных электронов и значений критического поля гашения фотопроводимости (ФП). Кинетика ФП при >, 2 ат.%, Τ < 20 К свидетельствует о возможности коррелированной перестройки примесных центров.