Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-92
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 61-80
      Volume 80
      Volume 79
      Volume 78
      Volume 77
      Volume 76
      Volume 75
      Volume 74
      Volume 73
      Volume 72
      Volume 71
      Volume 70
      Volume 69
      Volume 68
      Volume 67
      Volume 66
      Volume 65
      Volume 64
      Volume 63
      Volume 62
      Volume 61
Search
VOLUME 61 (1995) | ISSUE 4 | PAGE 290
Фотогальваномагнитный эффект в структурах на основе полупроводника, обладающего центром симметрии
Обнаружено возникновение фотовольтаического сигнала на структурах с асимметричными квантовыми ямами на основе узкозонного полупроводника Pbi_*Sii*Se в магнитном поле при Г 4,2 К. Эффект объясняется проявлением фотогальванического эффекта, индуцированного магнитным полем, на структурах с асимметричными квантовыми ямами на основе полупроводника, обладающего центром симметрии.