Оптическое наблюдение формирования электрополевого домена в GaAs/AlGaAs сверхрешетке п+-i-п+-типа с широкими квантовыми ямами
Стоклицкий С.А., Мурзин В.Н., Расулова Г.К., Митягин Ю.А., Пересторонин А.П., Монемар Б., Хольц П.О., Сингх М.
На основе прямого сопоставления данных, полученных из измерений спектров фотолюминесценции и электрических измерений, а также из наблюдения токовой бистабильности, зарегистрирован и исследован процесс зарождения электрополевого домена в сверхрешетке с широкими квантовыми ямами (многоуровневая система).