Долговременные релаксации сопротивления двумерного дырочного газа на гетерогранице GaAs/Al0.5Ga0.5As индуцированные одноосным сжатием
Кравченко В.Н., Минина Н.Я., Олсен Я.С., Савин A.M., Хансен О.П.
При одноосном сжатии в системе двумерных (2D) дырок на гетеропереходе GaAs/Alo,5Gno,5As в интервале температур 4,2-160 К обнаружено явление, которое по аналогии с остаточной фотопроводимостью может быть названо остаточным пьезосопротивлением. Долговременные релаксации сопротивления наблюдаются как при приложении, так и при снятии сжимающего образец усилия и обладают специфической "памятью". Темп релаксаций увеличивается с ростом температуры, а их временная зависимость обнаруживает двуступенчатый логарифмический характер.
|
Home
![](/ps/865/article_13296_800_head.png "При одноосном сжатии в системе двумерных (2D) дырок на гетеропереходе GaAs/Alo<b>,5Gno,5As </b>в интервале температур 4,2-160 К обнаружено явление, которое по аналогии с остаточной фотопроводимостью может быть названо остаточным пьезосопротивлением. Долговременные релаксации сопротивления наблюдаются как при приложении, так и при снятии сжимающего образец усилия и обладают специфической "памятью". Темп релаксаций увеличивается с ростом температуры, а их временная зависимость обнаруживает двуступенчатый логарифмический характер.")