|
|
| VOLUME 61 (1995) | ISSUE 7 |
PAGE 579
|
Энергетическая релаксация электронов в 2В-канале AlGaAs-GaAs гетероструктур в квазиравновесных условиях при низких температурах
Веревкин А.А., Птицина Н.Г., Чулкова Г.М., Гольцман Г.Н., Гершензон Е.М., Ингвессон К.С.
В диапазоне температур Τ-1,5 — 20 К в квазиравновесных условиях проведены измерения времени энергетической релаксации двумерных электронов те в гетеропереходах AlGaAs-GaAs. Показано, что при Τ >4К т, слабо зависит от температуры, а при Τ <4 К tJ~' ~ Т. Линейная зависимость тс-'(Т) в блох-грюнайзеновской области температур (Т <5 К) однозначно указывает на преобладание пьезоакустического механизма электрон-фононного взаимодействия в неупругих процессах рассеяния электронов. Значения т> в этой области температур с высокой точностью совпадают с результатами теории [6]. При более высоких температурах, где рассеяние на деформационных акустических фононах становится существенным, наблюдается значительное расхождение экспериментальных и теоретических результатов.
|
|
Home
