Особенности электрических и магнитных свойств 6H-SiC <N > на изоляторной стороне перехода металл - диэлектрик
Алексеенко М.В., Вейнгер А.И., Забродский А.Г., Ильин В.А., Таиров Ю.М., Цветков В.Ф.
На изоляторной стороне перехода металл диэлектрик (ПМД) вбЯ-SiC < N > определен характер низкотемпературной проводимости и методом ЭПР исследованы магнитные свойства системы. Аномально далеко от перехода обнаружено уменьшение спинового поглощения и характерное изменение механизма спиновой релаксации.