Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-92
   Volumes 61-80
   Volumes 41-60
   Volumes 1-20
   Volumes 21-40
      Volume 40
      Volume 39
      Volume 38
      Volume 37
      Volume 36
      Volume 35
      Volume 34
      Volume 33
      Volume 32
      Volume 31
      Volume 30
      Volume 29
      Volume 28
      Volume 27
      Volume 26
      Volume 25
      Volume 24
      Volume 23
      Volume 22
      Volume 21
Search
VOLUME 39 (1984) | ISSUE 6 | PAGE 261
Термостимулированное просветление границы кристалла в области экситонного поглощения
При увеличении -температуры кристалла CdS от 2 до 30 К обнаружено уменьшение минимального значения коэффициента экситонного отражения . Эффект обусловлен температурной зависимостью диссипативного затухания экситона Г вблизи внутренней поверхности без экситонного переходного слоя. При ^ <^50 К зависимость Т(Т) не может быть объяснена механизмом экситон-фоионного взаимодействия.