|
|
| VOLUME 72 (2000) | ISSUE 3 |
PAGE 178
|
Модель "DX-подобных" примесных центров в PbTe(Ga)
Белогорохов А.И., Волков Б.А., Иванчик И.И., Хохлов Д.Р.
PACS: 71.23.An, 71.55.-i
Предложена новая модель "DX-подобных" примесных центров, обеспечивающих стабилизацию уровня Ферми и долговременные релаксационные эффекты в полупроводниках группы IV-VI, легированных элементами III группы. Основой модели является идея о переменной валентности примеси, причем природа долговременных эффектов при низких температурах связывается с формированием эффективного барьера, обусловленного изменением валентности примеси на два при фотовозбуждении. Модель применена к анализу особенностей спектров фотопроводимости в PbTe(Ga). Модель может быть применима и к "классическим" DX-центрам в полупроводниках III-V.
|
|
Home
![](/ps/889/article_13707_800_head.png "<b>Предложена новая модель "DX-подобных" примесных центров, обеспечивающих стабилизацию уровня Ферми и долговременные релаксационные эффекты в полупроводниках группы IV-VI, легированных элементами III группы. Основой модели является идея о переменной валентности примеси, причем природа долговременных эффектов при низких температурах связывается с формированием эффективного барьера, обусловленного изменением валентности примеси на два при фотовозбуждении. Модель применена к анализу особенностей спектров фотопроводимости в PbTe(Ga). Модель может быть применима и к "классическим" DX-центрам в полупроводниках III-V.</b>")