Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-92
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 61-80
      Volume 80
      Volume 79
      Volume 78
      Volume 77
      Volume 76
      Volume 75
      Volume 74
      Volume 73
      Volume 72
      Volume 71
      Volume 70
      Volume 69
      Volume 68
      Volume 67
      Volume 66
      Volume 65
      Volume 64
      Volume 63
      Volume 62
      Volume 61
Search
VOLUME 72 (2000) | ISSUE 4 | PAGE 294
Влияние гофрировки гетерограницы на поляризационную анизотропию фотолюминесценции от (311)A GaAs/AlAs сверхрешеток с коротким периодом
PACS: 75.55.Cr
При исследовании GaAs/AlAs сверхрешеток, содержащих массив квантовых проволок, было обнаружено явление поляризационной анизотропии фотолюминесценции, которое наблюдается для образцов с толщиной GaAs слоев менее 21 А. Установлено, что природа поляризации для толщин более 40 А объясняется в основном анизотропией валентной зоны, в то время как при толщинах менее 21А в одинаковой мере как анизотропией валентной зоны, так и анизотропией, связанной с корругацией гете-рограницы. Для толщины GaAs слоя менее 21А был обнаружен blueshift перехода Г электрон Г тяжелая дырка, когда позиция пика фотолюминесценции от GaAs/AlAs (311)А сверхрешеток, содержащих массив квантовых проволок, смещена в сторону больших энергий по сравнению с (311)В и (100) сверхрешетками, не содержащими квантовых проволок, с аналогичной толщиной GaAs слоев. Сделан вывод, что в GaAs/AlAs сверхрешетках с толщиной GaAs слоя менее 21А наблюдается blueshift, а при толщине более 43 А redshift.