Кулоновская блокада в условиях неупругого туннелирования
Литвин Л.В., Колосанов В.А., Бакшеев Д.Г., Ткаченко В.А., Асеев А.Л.
PACS: 73.23.Hk, 73.40.Rw
Обнаружено, что одноэлектронные осцилляции тока на сток-затворных характеристиках одноэлектронного транзистора, изготовленного методом разрыва на ступени, затухают в несколько раз медленнее и не изменяют фазу на π при увеличении тянущего напряжения в отличие от обычного одноэлектронного транзистора. Это объясняется сильной нелинейностью вольт-амперных характеристик туннельных переходов, обусловленной неупругим характером туннелирования.