|
VOLUME 72 (2000) | ISSUE 6 |
PAGE 451
|
Разделение носителей заряда в свернутых гетероструктурах
Осадчий В.М., Принц В.Я.
PACS: 73.20.Dx
Проведены расчеты деформаций в свернутых InAs/GaAs гетероструктурах нано-метровых размеров. Показано, что распределение деформаций существенно различается в нанотрубках (структурах с когерентно сросшимися витками) и наносвитках, что ведет к различию в энергетическом спектре носителей заряда. В нанотрубках возможно пространственное разделение фотогенерированных электронов и дырок по толщине стенки.
|
|