Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-92
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 61-80
      Volume 80
      Volume 79
      Volume 78
      Volume 77
      Volume 76
      Volume 75
      Volume 74
      Volume 73
      Volume 72
      Volume 71
      Volume 70
      Volume 69
      Volume 68
      Volume 67
      Volume 66
      Volume 65
      Volume 64
      Volume 63
      Volume 62
      Volume 61
Search
VOLUME 72 (2000) | ISSUE 6 | PAGE 469
Экранирование экситонных состояний двумерными носителями заряда низкой плотности в GaAs/AlGaAs квантовых ямах
PACS: 71.30.+h, 71.35.Cc, 73.20.Dx
Исследовано экранирование экситонных состояний системой двумерных электронов (или дырок) в одиночных квантовых ямах GaAs/AlGaAs. Обнаружено, что с ростом концентрации двумерных носителей заряда наблюдается пороговое исчезновение экситонных состояний как из спектров люминесценции, так и из спектров отражения, причем пороговая концентрация тем ниже, чем выше качество исследованных двумерных систем. В лучших структурах коллапс экситонных состояний происходит при неожиданно малых электронных плотностях пе = 5 · 109 см-2, отвечающих безразмерному межчастичному расстоянию га = 8. Эта величина значительно превышает пороговые значения, обнаруженные в трехмерных системах (г, « 2), а также значения, наблюдаемые до сих пор в квантовых ямах. Решена проблема измерения концентрации двумерных носителей заряда малой плотности в условиях фотовозбуждения, для чего мы применили метод оптического детектирования размерного магнитоплазменного резонанса, который позволил надежно измерять плотность двумерной системы вплоть до 10е см-2.