Экранирование экситонных состояний двумерными носителями заряда низкой плотности в GaAs/AlGaAs квантовых ямах
Губарев С.И., Кукушкин И.В., Товстоног С.В., Акимов М.Ю., Смет И., фон Клитцинг K., Вегшайдер В.
PACS: 71.30.+h, 71.35.Cc, 73.20.Dx
![<b>Исследовано экранирование экситонных состояний системой двумерных электронов (или дырок) в одиночных квантовых ямах GaAs/AlGaAs. Обнаружено, что с ростом концентрации двумерных носителей заряда наблюдается пороговое исчезновение экситонных состояний как из спектров люминесценции, так и из спектров отражения, причем пороговая концентрация тем ниже, чем выше качество исследованных двумерных систем. В лучших структурах коллапс экситонных состояний происходит при неожиданно малых электронных плотностях п<sub>е</sub> = 5 · 10<sup>9</sup> см<sup>-2</sup>, отвечающих безразмерному межчастичному расстоянию г<sub>а</sub> = 8. Эта величина значительно превышает пороговые значения, обнаруженные в трехмерных системах </b><b><i>(г, </i></b><b>« 2), а также значения, наблюдаемые до сих пор в квантовых ямах. Решена проблема измерения концентрации двумерных носителей заряда малой плотности в условиях фотовозбуждения, для чего мы применили метод оптического детектирования размерного магнитоплазменного резонанса, который позволил надежно измерять плотность двумерной системы вплоть до 10<sup>е</sup> см<sup>-2</sup>.</b>](/ps/892/article_13761_800_head.png)
Исследовано экранирование экситонных состояний системой двумерных электронов (или дырок) в одиночных квантовых ямах GaAs/AlGaAs. Обнаружено, что с ростом концентрации двумерных носителей заряда наблюдается пороговое исчезновение экситонных состояний как из спектров люминесценции, так и из спектров отражения, причем пороговая концентрация тем ниже, чем выше качество исследованных двумерных систем. В лучших структурах коллапс экситонных состояний происходит при неожиданно малых электронных плотностях пе = 5 · 109 см-2, отвечающих безразмерному межчастичному расстоянию га = 8. Эта величина значительно превышает пороговые значения, обнаруженные в трехмерных системах (г, « 2), а также значения, наблюдаемые до сих пор в квантовых ямах. Решена проблема измерения концентрации двумерных носителей заряда малой плотности в условиях фотовозбуждения, для чего мы применили метод оптического детектирования размерного магнитоплазменного резонанса, который позволил надежно измерять плотность двумерной системы вплоть до 10е см-2.
|