Эффект антипересечения уровней триплетных экситонов в спектрах послесвечения кристалла GaSe
Старухин А.Н., Нельсон Д.К., Разбирин Б.С.
PACS: 71.35.+z, 78.20.Ls, 78.47.+p, 78.55.Et
Исследован эффект антипересечения спиновых подуровней триплетных эксито-нов в спектрах послесвечения. Обнаружено, что форма сигнала антипересечения существенно меняется в течение времени жизни возбужденного состояния, при этом наблюдается расщепление пика сигнала антипересечения на два, расстояние между которыми увеличивается со временем. Показано, что каждый из пиков обусловлен вкладом в излучение одного из взаимодействующих состояний, и определены их времена жизни.