Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-92
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 61-80
      Volume 80
      Volume 79
      Volume 78
      Volume 77
      Volume 76
      Volume 75
      Volume 74
      Volume 73
      Volume 72
      Volume 71
      Volume 70
      Volume 69
      Volume 68
      Volume 67
      Volume 66
      Volume 65
      Volume 64
      Volume 63
      Volume 62
      Volume 61
Search
VOLUME 72 (2000) | ISSUE 11 | PAGE 819
Сканирующая туннельная спектроскопия неравновесного взаимодействия примесных состояний на поверхности полупроводников
PACS: 61.16.Ch, 68.35.Bs, 68.65.+g, 71.55.Eq, 73.20.Dx
Методом сканирующей туннельной микроскопиии и спектроскопии изучено взаимодействие двух примесных локализованных состояний атомов Si на поверхности GaAs. Обнаружены эффекты двукратного "включения" и "выключения" состояний для каждого из взаимодействующих атомов, взаимное затягивание уровней этих состояний за счет туннельного взаимодействия и стабилизация уровней вблизи Ер. В рамках расширенной модели Андерсона дано объяснение наблюдаемым эффектам.