Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-92
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 61-80
      Volume 80
      Volume 79
      Volume 78
      Volume 77
      Volume 76
      Volume 75
      Volume 74
      Volume 73
      Volume 72
      Volume 71
      Volume 70
      Volume 69
      Volume 68
      Volume 67
      Volume 66
      Volume 65
      Volume 64
      Volume 63
      Volume 62
      Volume 61
Search
VOLUME 72 (2000) | ISSUE 12 | PAGE 885
Большое магнетосопротивление в неоднородном магнитном полупроводнике
PACS: 72.20.My, 73.25.+i, 73.40.-c
Исследован новый источник достижения больших значений магнитосопротивле-ния в магнитном полупроводнике. Механизм магнитосопротивления основан на возникновении объемного заряда, обедненного слоя, контактной разности потенциалов uc на границе раздела двух полупроводников с разными уровнями Ферми и е(, и на зависимостях в магнитном полупроводнике uc, электросопротивления и размера обедненного слоя от напряженности магнитного поля. Предлагаемая модель экспериментально подтверждена на микроструктуре, состоящей из нанесенного на поверхность объемного монокристалла p-HgCr2Se4 η-слоя HgCr2Se4 с толщиной до нескольких десятков микрон. В зависимости от параметров микроструктуры в области температуры Кюри обнаружены сильные (до ~ 30 раз) увеличения тока, протекающего через η-слой, при включении магнитного поля (Я ~ 15 кЭ).