Энергетическая релаксация двумерных электронов в области квантового эффекта Холла
Смирнов К.В., Птицина Н.Г., Вахтомин Ю.Б., Веревкин А.А., Гольцман Г.Н., Гершензон Е.М.
PACS: 73.50.Jt
Методом миллиметровой спектроскопии с высоким временным разрешением измерены времена энергетической релаксации тс 2D электронов в GaAs/AlGaAs гете-роструктурах в магнитных полях В = 0 — 4Тл в квазиравновесных условиях при Τ = 4.2 К. С ростом В наблюдается значительное увеличение те от 0.9 не до 25 не. В больших В при малых значениях фактора заполнения ν скорость энергетической релаксации τ,Γ1 осциллирует. Глубина осцилляций и положение максимумов зависят от фактора заполнения v. При ν > 5 скорость те-1 максимальна, когда уровень Ферми лежит в области локализованных состояний между уровнями Ландау, при меньших ν тё1 максимально при полуцелых и, когда уровень Ферми совпадает с уровнем Ландау. Особенности зависимости тГ1(В) объясняются различным вкладом внутриуровневых и межуровневых электрон-фононных переходов в процесс релаксации энергии 2D электронов.
Home
