Туннельные состояния в GaAs : Cr
Ванем Р.А., Кикоин К.А., Лыук П.А., Первова Л.Я.
Методом оптически индуцированной модуляции поглощения обнаружены новые мета-стабильные состояния комплекса "примесь Сг + донор в анионном узле" в GaAs : Сг Предложена теория этого дефекта.