Коллективное поведение межъямных экситонов в GaAs/AlGaAs двойных квантовых ямах
Ларионов А.В., Тимофеев В.Б., Хвам И., Соеренсен K.
PACS: 73.20.Mf, 78.55.Cr
В двойных GaAs/AlGaAs квантовых ямах (п г η структуры) исследованы спектры фотолюминесценции (ФЛ) межъямных экситонов, у которых связанные электрон и дырка пространственно разделены узким AlAs барьером. При резонансном возбуждении циркулярно поляризованным светом обнаружено значительное сужение линии люминесценции межъямных экситонов с ростом их концентрации и сильное увеличение степени циркулярной поляризации ФЛ. Установлено, что в этих условиях существенно возрастает скорость излучательной рекомбинации. Обнаруженное явление наблюдается при температурах ниже критической и интерпретируется в терминах коллективного поведения межъямных экситонов.