Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-92
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 61-80
      Volume 80
      Volume 79
      Volume 78
      Volume 77
      Volume 76
      Volume 75
      Volume 74
      Volume 73
      Volume 72
      Volume 71
      Volume 70
      Volume 69
      Volume 68
      Volume 67
      Volume 66
      Volume 65
      Volume 64
      Volume 63
      Volume 62
      Volume 61
Search
VOLUME 71 (2000) | ISSUE 4 | PAGE 220
Упругое и неупругое туннелирование фотоэлектронов из зоны размерного квантования на границе раздела p+- GaAs-(Cs,O) в вакуум
PACS: 73.40.Gk
Фотоэмиссия электронов с поверхности p+~GaAs с отрицательным электронным сродством экспериментально изучена при 4.2 К. В распределении эмиттированных электронов по энергиям продольного движения обнаружен узкий пик и его фононные повторения, обусловленные упругим и неупругим туннелированием электронов с дна зоны размерного квантования в приповерхностной области пространственного заряда через потенциальный барьер (С&,0)-активирующего покрытия с испусканием LO-фононов. Измеренное положение пика, соответствующего упруго туннелирующим электронам, близко к рассчитанному.