|
|
| VOLUME 71 (2000) | ISSUE 9 |
PAGE 564
|
Межподзонные резонансные поляроны в туннельных переходах Al/δ -GaAs
Котельников И.Н., Кокин В.А., Федоров Ю.В., Гук А.В., Талбаев Д.Т.
PACS: 71.38.+i, 73.40.Gk, 73.61.Ey
![](/ps/907/article_13925_800_head.png "<b>В магнитном поле <i>В, </i>параллельном слою двумерного электронного газа, при 1.6 К исследовались туннельные спектры переходов Al/i-GaAs, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии в условиях "тесного" контакта между А1 и (100)GaAs. Концентрация 2D электронов в ί-слое, выращенном на расстоянии 20 нм от границы Al/GaAs, составляла 1.1-10<sup>12</sup> см<sup>-2</sup>, что отвечало частичному заполнению только нижней подзоны <i>Ео. </i>В туннельных спектрах обнаружены многочастичные особенности: аномалия при нулевом смещении и линии продольных оптических (LO) фононов, а также наблюдались характерные "провалы", отвечающие энергетическим положениям <i>Ei </i>2D подзон. Для <i>В, </i>меньших критического поля <i>В<sub>с</sub> </i>5ί 11 Тл, наблюдался обычный диамагнитный сдвиг уровней 2D подзон. При <i>В > В<sub>с</sub> </i>обнаружен пиннинг терма <i>Е\(В) </i>и расталкивание термов <i>Ει(Β) </i>и <i>Ео(В) </i>+ 2йа;ьо. где <i>Ншьо -</i>энергия LO фононов в GaAs. Обнаруженные эффекты интерпретируются как проявление резонансных межподзонных поляронов в i-слое при достижении резонанса <i>Ei(B<sub>c</sub>) Ео{В<sub>с</sub>) = 2Hu<sub>LO</sub>-</i></b>")
|
|
Home