Транспортные свойства кольцевого GaAs/AlGaAs интерферометра в туннельном режиме
Быков А.А., Бакшеев Д.Г., Литвин Л.В., Мигаль В.П., Ольшанецкий Е.Б., Кассе М., Мод Д.К., Портал Ж.К.
PACS: 73.23.-b, 73.40.Gk
Исследованы транспортные свойства субмикронных GaAs/AlGaAs колец с расщепленным затвором в условиях, когда сопротивление кольца Rsd > h/e2. Экспериментально обнаружены осцилляции Rsd в зависимости от затворного напряжения V<3, обусловленные одноэлектронной зарядкой двух проводящих областей треугольной формы, на которые разбивается кольцо в туннельном режиме.