Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-92
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 61-80
      Volume 80
      Volume 79
      Volume 78
      Volume 77
      Volume 76
      Volume 75
      Volume 74
      Volume 73
      Volume 72
      Volume 71
      Volume 70
      Volume 69
      Volume 68
      Volume 67
      Volume 66
      Volume 65
      Volume 64
      Volume 63
      Volume 62
      Volume 61
Search
VOLUME 71 (2000) | ISSUE 12 | PAGE 745
Инверсия населенности и усиление ИК излучения при межподзонных переходах электронов и резонансных оже-процессах в квантовых яма
PACS: 73.61.Ey, 78.66.-w
Предложен механизм получения инверсной населенности электронов и усиления излучения среднего ИК диапазона при токовой или оптической инжекции электронно-дырочных пар в нелегированную область гетероструктуры с квантовыми ямами. Важными особенностями механизма являются существование в квантовой яме верхнего долгоживущего уровня размерного квантования и наличие резонансной оже-рекомбинации. Большое время жизни электронов на верхнем уровне или относительно малая вероятность их рассеяния в другие подзоны достигается выбором формы и параметров ямы, позволяющих обеспечить слабое перекрытие волновых функций электрона на верхнем уровне с волновыми функциями двух нижних уровней. Резонансная оже-рекомбинация играет важную положительную роль. Она как стабилизирует концентрацию электронов и дырок на нижних уровнях, так и дает существенный вклад в накачку верхнего уровня электронов и создание инверсии населенности. Проведены оценки степени инверсии населенности и коэффициента усиления.