Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-92
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 61-80
      Volume 80
      Volume 79
      Volume 78
      Volume 77
      Volume 76
      Volume 75
      Volume 74
      Volume 73
      Volume 72
      Volume 71
      Volume 70
      Volume 69
      Volume 68
      Volume 67
      Volume 66
      Volume 65
      Volume 64
      Volume 63
      Volume 62
      Volume 61
Search
VOLUME 70 (1999) | ISSUE 2 | PAGE 73
Латеральная локализация оптических фононов в квантовых островках GaAs
PACS: 63.20.Pw
Методом комбинационного рассеяния света (КРС) обнаружена латеральная локализация фононов в островках GaAs, формирующихся на поверхности (100) в условиях структурной реконструкции (2 χ 4). Триплетная структура пика, соответствующая латерально локализованным фононам, выявлена в спектрах КРС сверхрешетки GaAso.e/AlAse выращенной методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Сравнение теоретических спектров КРС, рассчитанных в приближении поляризуемости связи Волькенштейна, с экспериментальными спектрами позволило определить распределение островков по различным конфигурациям. Атомарная конфигурация островков совпадает с ранее известными результатами, полученными методом сканирующей туннельной микроскопии. Согласно расчетам, 70% островков содержат менее 18 атомов Ga, а латеральная локализация происходит при толщине барьеров AlAs в 2 монослоя и более.