Оптические свойства экситонов в квантовых нитях полупроводник (CdS) - диэлектрик
Гаврилов С.А., Гусев В.В., Днепровский В.С., Жуков Е.А., Муляров Е.А., Сырников А.Н., Яминский И.В.
PACS: 71.35.+z
Особенности спектров люминесценции полупроводниковых нанокристаллов CdS, кристаллизованных в полых каналах диэлектрического шаблона, объяснены экситон-ными переходами в квантовых нитях полупроводник диэлектрик. Энергии экси-тонных переходов согласуются с рассчитанными при учете как размерного квантования, так и "диэлектрического усиления экситонов" значительного увеличения притяжения между электроном и дыркой из-за различия диэлектрических проница-емостей полупроводника и диэлектрика. Рассчитанные теоретически энергии связи экситонов в квантовых нитях CdS диаметром 10 им достигают 170 мэВ. Показано, что энергия экситонного перехода постоянна в широком диапазоне значений диаметра нити.
Home
![](/ps/913/article_13993_800_head.png "Особенности спектров люминесценции полупроводниковых нанокристаллов CdS, кристаллизованных в полых каналах диэлектрического шаблона, объяснены экситон-ными переходами в квантовых нитях полупроводник диэлектрик. Энергии экси-тонных переходов согласуются с рассчитанными при учете как размерного квантования, так и "диэлектрического усиления экситонов" значительного увеличения притяжения между электроном и дыркой из-за различия диэлектрических проница-емостей полупроводника и диэлектрика. Рассчитанные теоретически энергии связи экситонов в квантовых нитях CdS диаметром 10 им достигают 170 мэВ. Показано, что энергия экситонного перехода постоянна в широком диапазоне значений диаметра нити.")