Закон Ома в киральной плазме
Чхетиани О.Г., Моисеев С.С.
PACS: 47.65+a, 52.35.Ra, 95.30.Qd
Рассмотрено движение электронов плазмы в стохастическом электромагнитном поле в пределе низкой проводимости. Показано, что при весьма общих условиях при наличии средней отличной от нуля киральности мелкомасштабного электромагнитного поля эффективный ток зависит от ротора наложенного электрического поля -j = σΕ + σ*τοίΕ аналогично подобным зависимостям для векторов электрической и магнитной индукции в оптически активных и искусственных киральных средах. Подобный закон Ома при определенных условиях ведет к росту магнитного поля, структура которого зависит от проводимости среды.