Магнитопластический эффект в InSb
Даринская Е.В., Петржик Е.А., Ерофеева С.А., Кисель В.П.
PACS: 61.72.-y, 75.90.+w
Обнаружено движение дислокаций в полупроводниковых кристаллах InSb под действием постоянного магнитного поля в отсутствие механической нагрузки. Получены зависимости среднего пробега дислокаций и относительного числа расходящихся и сходящихся полупетель от величины магнитной индукции и времени "магнитной обработки". Оценена энергия активации движения расходящихся дислокаций под действием магнитного поля в интервале температур 120 -т-250°С. Обсуждаются возможные причины наблюдаемого явления.
Home
![](/ps/914/article_14009_800_head.png "<b>Обнаружено движение дислокаций в полупроводниковых кристаллах InSb под действием постоянного магнитного поля в отсутствие механической нагрузки. Получены зависимости среднего пробега дислокаций и относительного числа расходящихся и сходящихся полупетель от величины магнитной индукции и времени "магнитной обработки". Оценена энергия активации движения расходящихся дислокаций под действием магнитного поля в интервале температур 120 </b><b>-т</b><b>-250°С. Обсуждаются возможные причины наблюдаемого явления.</b>")