Магнетосопротивление слабодопированных кристаллов TmBa2Cu3Ox. Переориентация антиферромагнитной структуры в магнитном поле
Амитин Е.Б., Байкалов А.Г., Блинов А.Г., Боярский Л.А., Диковский В.Я., Жданов К.Р., Каменева М.Ю., Козеева Л.П., Шелковников А.П.
PACS: 74.25.Fy, 74.72.-h, 75.50.Ee
Магнитосопротивление слабодопированных монокристаллов системы ТтВагСизО* исследовано в интервале температур 4.2-300 К и магнитных полей до 12 Тл. Для антиферромагнитного образца (х = 6.3) в случае, когда ток и поле лежат в плоскости аЬ, магнетосопротивление есть сумма анизотропной и фоновой компонент. Наличие анизотропной компоненты связывается с перестройкой антиферромагнитной доменной структуры в магнитном поле.