Микроскопическое описание кинетики мартенситного перехода в реальных кристаллах: ОЦК - ГПУ переход в Zr
Горностырев Ю.Н., Кацнельсон М.И., Кузнецов А.Р., Трефилов А.В.
PACS: 63.20.Ry, 63.75.+z
Методами численного моделирования исследована кинетика ОЦК ГПУ перехода в Zr в присутствии дислокаций. Показано, что переход происходит бездиффузионно (со скоростью порядка скорости звука) и осуществляется в два этапа: относительно длительное развитие неустойчивости длинноволновых акустических фононов и быстро протекающая стадия неустойчивости коротковолновых фононов. При этом упругие напряжения вблизи дислокации обеспечивают развитие этих неустойчивостей при существенно более низких температурах, чем это имело бы место в идеальном кристалле.