Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-92
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 61-80
      Volume 80
      Volume 79
      Volume 78
      Volume 77
      Volume 76
      Volume 75
      Volume 74
      Volume 73
      Volume 72
      Volume 71
      Volume 70
      Volume 69
      Volume 68
      Volume 67
      Volume 66
      Volume 65
      Volume 64
      Volume 63
      Volume 62
      Volume 61
Search
VOLUME 70 (1999) | ISSUE 7 | PAGE 463
Оптические фононы в наноразмерных кластерах GaAs и AlAs в матрице InAs
PACS: 63.22.+m, 78.30.Fs
Методом комбинационного рассеяния света исследованы структуры с нанораз-мерными кластерами GaAs и AlAs, выращенные методом молекулярно-лучевой эпи-таксии на подложках InAs с использованием механизма самоорганизованного роста под действием механических напряжений. В спектрах наблюдался существенный сдвиг линий фононов кластеров GaAs и AlAs относительно частот фононов в объемных материалах (36 и 24 см-1 для LO и ТО фононов GaAs, 55 и 28 см-1 для AlAs LO и ТО фононов, соответственно). Этот факт объясняется наличием сильных механических напряжений в кластерах GaAs и AlAs. Сравнение экспериментальных данных с рассчитанными зависимостями частот фононов от напряжений свидетельствует о том, что кластеры GaAs и AlAs являются псевдоморфными, т.е. не содержат дислокаций, приводящих к релаксации механических напряжений. В интервале между частотами ТО и LO фононов InAs в спектрах комбинационного рассеяния проявляются особенности интерфейсных фононов, положение которых также свидетельствует о формировании трехмерных островков GaAs и AlAs и хорошо описывается диэлектрической континуальной моделью.