Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-92
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 61-80
      Volume 80
      Volume 79
      Volume 78
      Volume 77
      Volume 76
      Volume 75
      Volume 74
      Volume 73
      Volume 72
      Volume 71
      Volume 70
      Volume 69
      Volume 68
      Volume 67
      Volume 66
      Volume 65
      Volume 64
      Volume 63
      Volume 62
      Volume 61
Search
VOLUME 70 (1999) | ISSUE 8 | PAGE 516
О механизме диссипации при внутреннем эффекте Джозефсона в слоистых сверхпроводниках при низких температурах
PACS: 74.25.Fy, 74.50.+r, 74.80.Dm
Вычисляются вольт-амперные характеристики (ΒΑΧ) слоистого сверхпроводника с синглетным d-спариванием при низких температурах в режиме внутреннего эффекта Джозефсона (ВЭД), предполагается когерентное туннелирование электронов между слоями. Конечное сопротивление сверхпроводника в резистивном состоянии возникает из-за переходов квазичастиц через сверхпроводящую щель в районе узлов. Взаимодействие джозефсоновских переходов, образованных слоями, из-за зарядовых эффектов не приводит к значительным различиям формы разных ветвей ΒΑΧ. Модель описывает основные качественные черты эффекта в высокотемпературных сверхпроводниках при напряжениях, малых по сравнению с амплитудой сверхпроводящей щели.