Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-92
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 61-80
      Volume 80
      Volume 79
      Volume 78
      Volume 77
      Volume 76
      Volume 75
      Volume 74
      Volume 73
      Volume 72
      Volume 71
      Volume 70
      Volume 69
      Volume 68
      Volume 67
      Volume 66
      Volume 65
      Volume 64
      Volume 63
      Volume 62
      Volume 61
Search
VOLUME 70 (1999) | ISSUE 8 | PAGE 543
Особенности формирования резистивного состояния в кристалле Bi2Sr2CaCu2Oy
PACS: 74.25.Fy, 74.50.+r, 74.60.Ge, 74.72.Hs
Исследовано влияние магнитного поля Η ± (ab) на поперечные вольт-амперные характеристики (ΒΑΧ) смешанного состояния монокристалла слоистого сверхпроводника Bi2Sr2CaCu20t/ (BSCCO) и установлено, что в широкой области температур и полей выше линии необратимости начальная часть ΒΑΧ описывается законом V ос Π с 7 ~ 1, который при дальнейшем росте тока сменяется участком, где V ос ехр(/). Установлено, что неоднозначные многоветвевые характеристики, интерпретируемые как проявления внутреннего эффекта Джозефсона, не претерпевают заметных изменений при переходе кристалла в состояние с ненулевым линейным сопротивлением. Определен характер зависимости характеристического тока переключения на первую резистивную ветвь, 7j(H,Τ).