Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-92
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 61-80
      Volume 80
      Volume 79
      Volume 78
      Volume 77
      Volume 76
      Volume 75
      Volume 74
      Volume 73
      Volume 72
      Volume 71
      Volume 70
      Volume 69
      Volume 68
      Volume 67
      Volume 66
      Volume 65
      Volume 64
      Volume 63
      Volume 62
      Volume 61
Search
VOLUME 70 (1999) | ISSUE 9 | PAGE 588
Локализация отрицательно заряженных экситонов в квантовых ямах GaAs/AlGaAs
PACS: 71.35.Cc, 78.66.Fd
В одиночных квантовых ямах GaAs/AlGaAs исследована локализация отрицательно заряженных экситонов на одиночных заряженных донорах, расположенных в барьере на различных фиксированных расстояниях L от гетерограницы. Изучена зависимость энергетического сдвига циклотронной реплики в спектрах излучения локализованного экситонного комплекса от величины L. Показано, что в нелегированных образцах локализация заряженных экситонов происходит на остаточных донорах, расположенных на расстояниях L > 350 А, что связано с образованием £>~-комплексов на меньших расстояниях. Установлено, что циклотронная реплика возникает при рекомбинации возбужденного состояния экситонного комплекса, а не основного, как считалось ранее.