Экситонные состояния в квантовых ямах, сформированных из "надбарьерных" элекронных состояний
Муляров Е.А., Сибельдин Н.Н., Скориков М.Л., Цветков В.А., Этьен Б.
PACS: 71.35.-y, 73.20.Dx, 78.55.-m
В спектрах возбуждения фотолюминесценции GaAs/Alo.osGao.gsAs структур с квантовыми ямами (КЯ), содержащими по одному одночастичному уровню размерного квантования для носителей заряда каждого типа, обнаружены линии, отвечающие локализованным экситонным состояниям, сформированным из "надбарьерных" электронных и/или дырочных состояний (в частности, линии возбуждения эксито-нов, образованных локализованным в КЯ электроном и свободной тяжелой дыркой). Предложен метод расчета, позволяющий найти энергии связи и волновые функции экситонов в КЯ при самосогласованном учете кулоновского потенциала. Вычисленные значения энергий экситонных переходов достаточно хорошо согласуются с результатами эксперимента.
Home
![](/ps/919/article_14064_800_head.png "<b>В спектрах возбуждения фотолюминесценции GaAs/Alo.osGao.gsAs структур с квантовыми ямами (КЯ), содержащими по одному одночастичному уровню размерного квантования для носителей заряда каждого типа, обнаружены линии, отвечающие локализованным экситонным состояниям, сформированным из "надбарьерных" электронных и/или дырочных состояний (в частности, линии возбуждения эксито-нов, образованных локализованным в КЯ электроном и свободной тяжелой дыркой). Предложен метод расчета, позволяющий найти энергии связи и волновые функции экситонов в КЯ при самосогласованном учете кулоновского потенциала. Вычисленные значения энергий экситонных переходов достаточно хорошо согласуются с результатами эксперимента.</b>")