Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-92
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 61-80
      Volume 80
      Volume 79
      Volume 78
      Volume 77
      Volume 76
      Volume 75
      Volume 74
      Volume 73
      Volume 72
      Volume 71
      Volume 70
      Volume 69
      Volume 68
      Volume 67
      Volume 66
      Volume 65
      Volume 64
      Volume 63
      Volume 62
      Volume 61
Search
VOLUME 70 (1999) | ISSUE 11 | PAGE 749
Магнитопластический эффект в кристаллах LiF и продольная релаксация спинов
ID: 62.20.Fe, 68.72.Ff, 75.90.+w, 76.30.Da
При исследовании магнитостимулированной дислокационной подвижности в кристаллах LiF обнаружены новые черты зависимости среднего пробега I дислокаций от магнитного поля В: найден переход от обычной пропорциональности I ос В2 к насыщению 2 « const при высоких полях В. Показано, что экспериментальные точки удовлетворительно описываются теоретической зависимостью / ос [(Во/В)2 + I]-1 (Во рз 0.8Тл), типичной для механизма продольной релаксации спинов в системе радикальных пар, которые предположительно образуются в процессе взаимодействия дислокационных ядер с парамагнитными примесными центрами. В соответствии с теорией уровень поля Во определяется характерной частотой осцилляций внутренних полей в решетке, которая при Во ~ 1Тл оказывается порядка 10ис-1, что соответствует типичной частоте собственных колебаний дислокационных сегментов между центрами закрепления, которая, естественно, от температуры не зависит. Это в свою очередь объясняет одинаковость измеренных значений Во при температурах 293 К и 77 К.