Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-92
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 61-80
      Volume 80
      Volume 79
      Volume 78
      Volume 77
      Volume 76
      Volume 75
      Volume 74
      Volume 73
      Volume 72
      Volume 71
      Volume 70
      Volume 69
      Volume 68
      Volume 67
      Volume 66
      Volume 65
      Volume 64
      Volume 63
      Volume 62
      Volume 61
Search
VOLUME 70 (1999) | ISSUE 11 | PAGE 754
Квантованный эффект Холла в объемных полупроводниках теллуридов висмута и сурьмы: очевидность наличия резервуара носителей тока
PACS: 72.20.My, 73.40.Lq
В полупроводниках ЕИгТез и БЬгТез наблюдается квантование холловского сопротивления рШу в виде плато в зависимости рху от магнитного поля В, минимумам поперечного магнитосопротивления рхх соответствуют начало плато. Причиной квантования рху является наличие резервуара носителей тока, роль которого играет примесная зона с высокой плотностью состояний или другая зона с существенно большей эффективной массой носителей тока.