Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-92
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 61-80
      Volume 80
      Volume 79
      Volume 78
      Volume 77
      Volume 76
      Volume 75
      Volume 74
      Volume 73
      Volume 72
      Volume 71
      Volume 70
      Volume 69
      Volume 68
      Volume 67
      Volume 66
      Volume 65
      Volume 64
      Volume 63
      Volume 62
      Volume 61
Search
VOLUME 69 (1999) | ISSUE 4 | PAGE 307
Скин-эффект и отклик полупроводниковых барьерных структур
Решена задача о скин-эффекте в барьерной структуре конечной ширины типа: проводник (металл или полупроводник) барьер (в частности, туннельный) проводник. Указано на возможность возбуждения в этом режиме особых "барьерных" плазменных поляритонов (БПП), которые локализованы в барьере и прибарьерной области и имеют 2D спектр. Выявлена аналитическая связь между спектром БПП и линейным динамическим импедансом структуры, а также ее выпрямляющими характеристиками. Возбуждение ВПП существенно увеличивает нелинейный отклик структуры. Показано, что линейный и нелинейный отклик типичных полупроводниковых туннельных структур в ТГц диапазоне частот определяется возбуждением БПП.