|
|
| VOLUME 61 (1995) | ISSUE 8 |
PAGE 636
|
О локализации дефекта в одномерном электронном газе
Прокофьев Н.В.
Рассматривается задача о локализации примеси за счет эффектов обратного рассеяния на примесном потенциале одномерного (ID) взаимодействующего электронного газа. Вычислен показатель экспоненты для интеграла ортогональности, отвечающего смещению рассеивающего потенциала на произвольное расстояние, и показано, что "катастрофа ортогональности" за счет рассеяния назад может быть сколь угодно велика. Полученные результаты существенно зависят от взаимодействия в системе и принципиально отличаются как от случая невзаимодействующих электронов, так и от известных результатов в 2D-, 3£)-системах.
|
|
Home
![](/ps/933/article_14249_800_head.png "Рассматривается задача о локализации примеси за счет эффектов обратного рассеяния на примесном потенциале одномерного (<i>ID) </i>взаимодействующего электронного газа. Вычислен показатель экспоненты для интеграла ортогональности, отвечающего смещению рассеивающего потенциала на произвольное расстояние, и показано, что "катастрофа ортогональности" за счет рассеяния назад может быть сколь угодно велика. Полученные результаты существенно зависят от взаимодействия <b>в </b>системе и принципиально отличаются как от случая невзаимодействующих электронов, так и от известных результатов в 2D-, 3£)-системах.")